• # EMMI 적외선 열영상 결함 분석 장비
  • 종합반도체(IDM) / 디스플레이 / Junction 극소결함 / 부품 / PCB 결함 분석 / 미세 결함 불량 위치 및 깊이 측정
  • Hot spot(핫스폿) / 쇼트(Short) & 누설전류(Leakage Current) 
  • # 비접촉 박막 두께 측정기
  • 반도체 장치, 안경, 스텐트, 태양 전지, 폴리머 코팅, 포토레지스트, 태양 전지 패널, LCD, MEMS 및 주사기 제조업체
  • 1nm 에서 2mm 까지 두께 측정
  • 학교 / 연구실 / 인라인 / 곡면 / 대형 부품 / 게이트형 박막 / 소형 난시 보정 분광계 측정 등  

EMMI 적외선 열영상 결함 분석 장비_종합반도체(IDM)/디스플레이/Junction 극소결함/부품/PCB 결함 분석/쇼트 및 누설전류 미세 결함 불량 위치 및 깊이 측정

ECV Pro+ 를 이용한 InP/GaInAsP 레이저 테스트 구조의 프로파일링
ECV Pro+ 를 이용한 InP/GaInAsP 레이저 테스트 구조의 프로파일링

📘 ECV Pro+ 제품 사양 (Specifications)

제품명: ECV Pro+
용도: 전기화학 캐패시턴스-볼티지(Electrochemical Capacitance-Voltage) 프로파일링 장비


🔍 주요 특징 (Key Features)

✅ 완전 자동화로 작업자 의존성 제거
✅ 실시간 샘플 표면 영상 관찰 (ECVision™)
✅ 칼로멜/수은 전극 미사용 – 친환경 설계
✅ 유지보수 간편, 소모품 비용 절감
✅ 다양한 소재와 다층 구조 지원
✅ 소형 일체형 디자인, 공간 절약


주요 사양 (Specifications)

항목 내용

측정 농도 범위10¹³ cm⁻³ ~ 10²⁰ cm⁻³ (소재 품질에 따라 다름)
깊이 범위0.05 μm ~ 50 μm
깊이 해상도1 nm
주파수 범위0.3 kHz ~ 5.5 kHz
신호 진폭0 V ~ 400 mV (pk-pk)
바이어스 전압±10 V
전류 적분기±2% (최대 1024 μm)
충격 전압40 V AC
광원Quartz Halogen 또는 Mercury Xenon (가변 조명)
운영체제Windows 10
측정 가능 소재III-V, III-N, II-VI, Si, SiC
설비 요건Light Vacuum
전원110~240 VAC, <5 Amps
크기 (W × D × H)630 mm × 800 mm × 1730 mm
무게160 kg


🏢 기업 활용 사례

  • GaN, InGaN, AlGaN 등 차세대 소재의 도핑 프로파일링

  • 다층 에피택셜 구조 분석

  • 공정 최적화 및 품질 관리 (QC)

  • Hall 또는 Hg Probe 장비의 대안 솔루션