1. 이종 구조 두께 측정은 증착 후 중요한 품질 관리 단계입니다. 이는 현장 실시간 두께 제어와 함께 작동하거나 대신 작동할 수 있습니다. 
2. 이종 구조 필름 스택은, 전형적으로, 저반사 및 고반사 지수 물질, 예를 들어 Al 산화물 및 Zn 산화물의 반복된 교대 층으로 구성됩니다. 
3. 이중 층은 일반적으로 60x에서 200x까지 10초 또는 100초 반복될 수 있습니다. 이들은 필터, 반사 방지 코팅 및 기타 용도로 널리 사용됩니다. 이러한 용도 중 하나는 LED 및 반도체 레이저입니다. 이 경우, 이종 구조 필름 스택은 좁은 파장 범위의 광 방사선을 집중시키기 위해 사용됩니다. 
4. 종종 구성 물질들의 광학 상수가 개별적으로 측정되고 실제 이종 구조에서 두께만 측정됩니다. 불행히도, 이종 구조 내의 물질들이 상이한 광학 특성을 가질 수 있기 때문에 항상 가능한 것은 아닙니다. 그러나 동일한 물질 층이 모두 동일한 특성을 갖는다고 가정하여 두께 및 광학 상수를 모두 측정하는 것은 가능합니다.  

이종 구조를 측정하는 방법은?

• 헤테로 구조는 일반적으로 금속 산화물의 얇은 층을 포함합니다. 이 경우 MProbe 20 UVVis 측정 시스템을 사용하는 것이 가장 좋습니다
• 링크 계층을 사용하면 데이터 분석의 첫 단계에서 독립 계층의 수를 줄일 수 있습니다
• 측정된 데이터에 대한 적합도가 좋지 않은 경우 측정된 매개변수에 재료 중 하나의 광학 상수를 추가할 수 있습니다. 이전에 측정된 데이터와 다를 수 있습니다
• 장착이 개선되지만 여전히 완벽하지 않은 경우 – 최신 결과에서 광학 상수를 고정하고 개별 층의 두께를 독립적으로 흐르게 할 수 있습니다

MProbe UVVis 20  system basic specification 

• Wavelength range: 200-1000nm
• Wavelength resolution: < 1nm  (optional: 2nm or 4 nm:depends on the entrance spit)
• Thickness range: 1nm -75 um 
• Measurement precision: 0.01nm or 0.01% (whichever is greater)
• Light source: 30W Deuterium short-arc lamp and 20W TH lamp (lamps lifetime 2000hrs)
• Spectrometer: astigmatism corrected Ariel spectrometer 
• Measurement spot size < 1mm
• Typical measurement time(on Si): 20ms
• Integration time range: 10us – 1000ms
• Communication interface: USB2 and 1 Gb LAN

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