• # EMMI 적외선 열영상 결함 분석 장비
  • 종합반도체(IDM) / 디스플레이 / Junction 극소결함 / 부품 / PCB 결함 분석 / 미세 결함 불량 위치 및 깊이 측정
  • Hot spot(핫스폿) / 쇼트(Short) & 누설전류(Leakage Current) 
  • # 비접촉 박막 두께 측정기
  • 반도체 장치, 안경, 스텐트, 태양 전지, 폴리머 코팅, 포토레지스트, 태양 전지 패널, LCD, MEMS 및 주사기 제조업체
  • 1nm 에서 2mm 까지 두께 측정
  • 학교 / 연구실 / 인라인 / 곡면 / 대형 부품 / 게이트형 박막 / 소형 난시 보정 분광계 측정 등  

EMMI 적외선 열영상 결함 분석 장비_종합반도체(IDM)/디스플레이/Junction 극소결함/부품/PCB 결함 분석/쇼트 및 누설전류 미세 결함 불량 위치 및 깊이 측정

MPROBE 50 INSITU : REAL TIME THICKNESS MONITOR 

MPROBE 50 INSITU  

박막 두께 및 n&k(광학 상수) 측정을 위한 현장 실시간 광학 두께 모니터


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  1. 박막 두께 및 n&k(광학 상수) 측정을 위한 현장 실시간 광학 두께 모니터입니다 . 
  2. 시스템은 게이트 데이터 수집을 사용하기 때문에 주변 조명이 높은 환경 에서도 작동할 수 있습니다. 
  3. 고강도 플래시 Xe 램프를 사용하여 광대역(UV-NIR) 파장 범위 에서 정확한 측정이 가능합니다.
  4. MProbe 50 시스템은 다양한 진공 챔버 형상을 지원하도록 완벽하게 사용자 정의할 수 있습니다. 
  5. 사용 가능한 광학 포트에 따라 경사 입사 또는 수직 입사를 사용할 수 있습니다. 빛은 샘플 표면에 집중되거나 시준될 수 있습니다. 
  6. 반사 프로브는 증착 챔버 광학 포트 외부 또는 내부(광섬유 피드스루 사용)에 배치할 수 있습니다.
  7. MProbe 50 시스템에는 움직이는 부품이 없습니다. 일반적인 측정 시간 ~ 10ms. 모든 반투명 필름을 빠르고 안정적으로 측정할 수 있습니다.




WHY MPROBE 50?

  • In-situ 박막 두께 및 n&k 측정 
  • 높은 주변광 환경에서 측정을 위한 게이트 데이터 수집
  • 재료: 500개 이상의 확장된 재료 데이터베이스
  • 지속적이고 빠르고 안정적인 측정
  • 유연한 구성 - 증착 챔버 형상에 맞게 완전히 맞춤화됨
In-situ configuration example. Other configurations available depending on deposition chamber
In-situ configuration example. Other configurations available depending on deposition chamber

BASIC SPECIFICATION

  • Precision 0.01nm or 0.01%
  • Accuracy 0.2% or 1 nm
  • Stability 0.02nm or 0.03%
  • Spot Size 3 mm typical (depends on configuration)
  • Sample Size from 4 mm
  • Measurement < 1 s (20ms to 200ms typical)

     

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